施敏教授对跨金属/半导体 (金/半)载流子的传输理论和实践，做出了基础性和开创性的贡献。他对于大范围掺杂(10¹⁴-10²⁰/cm³) 和工作温度 (硅: 77K-373K；砷化镓：50K-500K)的金/半接触特性，通过跨金/半界面势垒的量子隧道穿越、热电子发射、镜像力降低、和二维统计杂质变化的共同效应都做出了分析和实验。这些对硅和砷化镓半导体的前沿贡献, 不仅奠定了欧姆和肖特基 (欧/肖)接触的科学理论基础，并且开启了制造近代半导体器件的可扩展途径。在接下来的50年中，它们被广泛的用于计算、通信、传感、控制、成像和记忆之芯片电路的制造，对人类生活和文明有巨大贡献。

施敏教授出生于南京市，在台湾长大。1957年毕业于台湾大学电机系，1960年在华盛顿大学获电机工程硕士，1963年在斯坦福大学获电机工程博士。他于1967年在美国与姜大元博士共同发现浮栅存储（FGM）效应，是广泛应用的快闪存储器之核心发明。这里所奖励的科学工作是他1968-1969年在新竹交通大学 (今阳明交通大学) 期间完成的。

他还撰写了具有传奇色彩的研究专著《半导体器件物理学》。这是一本全球半导体和集成电路研究人员“必学”之书，一直被研究生院教师/学生以及整个电子和光子行业的工程师使用和引用。